LEEM-10 Experimental Apparatus ng PN Junction Characteristics

Mga eksperimento

1. Sa parehong temperatura, sukatin ang forward volt-ampere na katangian ng PN junction at kalkulahin ang Boltzmann constant;

2. Ang pasulong na kasalukuyang I ay nananatiling hindi nagbabago, ang VT curve ng pasulong na boltahe ng PN junction ay nakamapa, ang sensitivity ay kinakalkula, at ang band gap width ng sinusukat na PN junction na materyal ay tinatantya;

3. Eksperimento ng aplikasyon: gumamit ng ibinigay na PN junction upang sukatin ang hindi kilalang temperatura;

4. Makabagong eksperimento: Ayon sa pang-eksperimentong data, tantyahin ang reverse saturation current Ay ng PN junction.

5. Eksperimento sa pagtuklas: Obserbahan ang impluwensya ng laki ng pinagsama-samang kasalukuyang.

Ang pangunahing teknikal na mga parameter

1. Iba't ibang PN junction na may packaging, kabilang ang mga silicon tubes, germanium tubes, NPN transistors, atbp.;

2. Ang kasalukuyang hanay ng output ay 10nA～1mA, adjustable sa 4 na seksyon, fine adjustment: minimum 1nA, driving voltage

Tungkol sa 5V, laktawan ang mga salita ≤ 1 salita/min;

3. Dedicated ultra-high resistance 4-1/2 digit digital voltmeter, dalawang level ng internal resistance: 10MΩ, ultra-high resistance level (mas malaki sa 1GΩ), measurement range: 0～2V, resolution: 0.1mV;kawalan ng katiyakan sa pagsukat: 0.1%± 2 salita.

4. Pang-eksperimentong temperatura: temperatura ng silid～99℃, digital thermometer: 0～100℃, resolution 0.1℃;

5. Kabilang ang electric heater, Dewar flask at beaker.